針對全新 Intel Z170 玩家平台， G.SKILL 推出 Trident Z 系列最新成員「 F4-3600C16D-16GTZ 」超頻記憶體模組，採用最新 SAMSUNG B-Die 記憶體顆粒，是現時最強的 DDR4 超頻記憶體顆粒，預設 XMP 規格在 1.35V 工作電壓下可運作於 DDR4-3600 CL16-16-16 時序，只需略加電壓就能輕鬆超上 DDR4-4133 ，成為新一代的 DDR4 超頻皇者。

受惠於 Intel 新一代 Skylake 微架構的記憶體控制器設計， DDR4 記憶體時脈得以進一步提升，因此 G.SKILL 特別針對 Intel Z170 主機板平台，推出全新 Trident Z DDR4-3600 CL16 16GB Kit 記憶體模組，型號為「 F4-3600C16D-16GTZ 」，採用全新 SAMSUNG B-Die 記憶體顆粒，配合自家 IC 篩選流程，過往只能在 LN2 極限超頻才能達到的爆發極速，現在可以在風冷下輕鬆達成。

全新 G.SKILL Trident Z 記憶體模組換上全新的散熱片設計，銀、黑面兩面雙色鋁合金屬所組成、厚度達 0.2mm ，散熱片外殼表面採用 CNC 切割及髮絲紋處理，並配合一體成形的鰭片式設計，有助於空氣流通達至快速散熱之效。

為確保記憶體模組的穩定性， G.SKILL Trident Z 「 F4-3600C16D-16GTZ 」在出貨前皆經過嚴苛的出貨測試，以確保系統的最佳效能表現，產品支援最新 Intel XMP 2.0 一鍵超頻功能，同時針對市場上常見的 Z170 主機板型號進行 QVL 測試，以確保記憶體具備絕佳穩定性。

ie G.SKILL Trident Z 「 F4-3600C16D-16GTZ 」規格為 DDR4-3600 CL16-16-16-36 2T ，工作電壓為 1.35V ，採用 10 層 PCB Layers 設計提供更佳線路屏蔽效果，拆下散熱器後可以看到記憶體 PCB 單面合共 8 顆 SAMSUNG 「 K4A8G085WB-BCPB 」記憶體顆粒。

SAMSUNG 記憶體顆粒的編號，開首的 K 代表 SAMSUNG Memory 、 4 代表是 DRAM 產品， A 代表 DDR4-SDRAM 系統記憶體、 8G08 代表容量是 8Gb (1Gb x 8) 顆粒 ，其 Refresh 時間為 64ms ，緊接編碼為 5 是 16 Banks 顆粒， W 代表工作電壓採用 SSTL_12 介面， vDD 、 vDDQ 工作電壓均為 1.2V 、 B 代表 Revision B-Die 顆粒。

後面「 BCPB 」的 B 代表 96 ball FBGA 顆粒，採用 Halogen & Lead Free 環保制程 flip chip封裝， C 代表為正常商用顆粒之工作溫度範圍為 0ºC ~ 85ºC ， PB 代表其速度為 0.938ns 即 DDR4-2133 ，規格為 CL15-15-15 ， G.SKILL 透過篩選程序，打造成 XMP 規格下 1.35V 工作電壓可運作 DDR4-3600 C16 的記憶體模組産品。

市場上的 Z170 主機板記憶體線路設計，未必每一片均針對高記憶體時脈運作進行優化，因此 XMP 時序設定會偏向保守，主要是記憶體廠商為了提升相容性，令 Sub-Timing 時序設定均偏向保守，建議進階玩家們可以收緊 Sub-Timing 時序設定入手，性能將會明顯提升。